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芯片襯底平面度測量,提高薄膜生長成功率|激光平面度測量儀

文章出處:網責任編輯:作者:人氣:-發表時間:2022-09-14 21:32:00

半導體膜襯底主要是起支撐和改善薄膜特性的作用。薄膜生長在襯底上,襯底材料性質和襯底表面形狀對薄膜的特性有很大的影響,因為薄膜一般厚度尺寸在納米至微米之間,要求襯底表面有超高平整度;薄膜和襯底的結合也是一個非常重要的方面,如果兩者晶格不匹配,則在薄膜形成初期階段會形成一個較長的過渡區域。如果襯底的平整度不佳就會影響到半導體膜的均勻性并導致后續的芯片封裝等工序無法正常運行,所以半導體膜襯底的平整度需要高精度測量,傳統的測量方法無論是精度亦或者上手難易度都無法滿足半導體科研、制作等場景所要求的標準,所以海科思激光平面度測量儀成為了半導體膜襯底的平整度測量理想設備。

襯底平面度測量儀就是測量襯底平整度的得力助手,使用激光探頭進行點掃描或者線掃描的切換讓測量精度達到佳并且不會造成,測量結果不受操作人員的人為影響,始終保持著高精度。激光平面度測量儀還裝配多工位配件,一次性多個工件測量幫助解決大規模生產時的測量難題。高精度激光平整度測量儀使用激光進行測量除了精度高以外還擁有速度快的特性,高可達0.5s/片,而且不需要進行的培訓也可熟練操作,省時省力也省心。

平面度測量儀

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